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簡要描述:SiC基單層石墨烯電極是在SiC基底上生長 1 個 15 x 15 mm2單層石墨烯樣品。
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SiC基單層石墨烯電極是在SiC基底上生長 1 個 15 x 15 mm2單層石墨烯樣品。
SiC基單層石墨烯電極是由碳(C)原子組成的晶體平面,sp2鍵在蜂窩晶格中結(jié)合,其中碳與三個平面內(nèi)鍵結(jié)合,而第四個在垂直方向上是不飽和鍵。這種晶體結(jié)構(gòu)負(fù)責(zé)石墨烯的*特性。在本產(chǎn)品中,石墨烯在Si端接SiC基板上形成。*形成的碳層稱為界面層或緩沖層,它是絕緣的,因為它的碳原子有三分之一與SiC基板共價結(jié)合。外延石墨烯是指在界面層之上形成的碳層,具有隔離單層石墨烯典型的線性分散。
本產(chǎn)品為極耐用電極,適合多種使用。如果涂覆了涂層,無論采用何種沉積技術(shù),都可以通過強(qiáng)酸或堿溶液(取決于涂層性質(zhì))去除涂層,而不會影響石墨烯層。請注意,如果應(yīng)用的電勢高于 +2V,SiC 上的單層石墨烯可能會以電化學(xué)方式降解。
規(guī)范
覆蓋率: 100%
厚度變化:< 10%="" of="" bi-layer="">
電導(dǎo)率類型:n型
薄板載體密度:2 x 1012 × 5 x 1012厘米-2
移動性: 1500 - 2200 厘米2/V
基板類型:4H-SIC HPSI
基板厚度:0.5 毫米
基板長度: 15 毫米
基板寬度:15 毫米
基板方向:軸上
基板電阻率范圍:± 1 x 105 °cm
基板微管密度(MPD):標(biāo)準(zhǔn)
基板精加工:雙面拋光 Si 面 CMP
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